RT - article
SR - Electronic
T1 - ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА БАРИЯ II. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛОСЫ ПЕРЕХОДОВ И ИХ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2025-03-12
A1 - Соболев В. В., 
A1 - Мерзляков Д. А., 
A1 - Соболев В. Вал., 
YR - 2017
UL - https://www.academjournals.by/publication/16384
AB - Спектральные зависимости мнимых частей диэлектрической проницаемости ε2 (E), объемных (-Imε-1) и поверхностных (-Im(1+ε)-1) характеристических потерь энергии электронов кристалла селенида бария разложены на 34 элементарные полосы в области 3-5.5 эВ при 2 К и в области 5.5-26 эВ при 77 К усовершенствованным методом объединенных диаграмм Арганда. Для каждой полосы спектров трех типов определены энергии максимумов Ei, полуширины Hi, амплитуды Ii, площади Si и силы осцилляторов fi. Параметр fi рассчитан по модифицированной формуле, известной для эффективного количества валентных электронов neff(E). Установлены основные особенности 34 элементарных полос селенида бария в области 3-26 эВ, обусловленных экситонами и междузонными переходами поперечного и продольного типа.