КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДИСУЛЬФИДА РЕНИЯ

Баглов А. В.; Хорошко Л. С.

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДИСУЛЬФИДА РЕНИЯ

Баглов А. В., Хорошко Л. С.

2022

https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-5-651-656

Исследованы кристаллическая структура и электронные свойства дисульфида рения триклинной сингонии в рамках теории функционала плотности и теории псевдопотенциала. Показано, что рассчитанные в рамках приближения локальной плотности параметры и углы элементарной ячейки находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными. Установлено, что наблюдаемый прямозонный характер дисульфида рения связан c межзонными переходами в точке X. Энергетический спектр электронов характеризуется большим числом долин, а электронная структура преимущественно образована 3p- и 5d-состояниями ионов серы и рения соответственно, причем при переходе от валентной зоны к зоне проводимости роль 5d-состояний возрастает, а 3p-состояний уменьшается. Наблюдаемое строение обусловлено низкосимметричной элементарной ячейкой и большим числом неэквивалентных позиций составляющих ее ионов.

Баглов А. В., Хорошко Л. С. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДИСУЛЬФИДА РЕНИЯ. Журнал прикладной спектроскопии. 2022;89(5):651-656. https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-5-651-656

Цитирование

Список литературы

1. M. A. Lukowski, A. S. Daniel, F. Meng, A. Forticaux, L. Li, S. Jin. J. Am. Chem. Soc., 135, Iss. 28 (2013) 10274—10277

2. D. Voiry, M. Salehi, R. Silva, T. Fujita, M. Chen, T. Asefa, V. B. Shenoy, G. Eda, M. Chhowalla. Nano Lett., 13, Iss. 12 (2013) 6222—6227

3. K. Chang, W. Chen. ACS Nano, 5, Iss. 6 (2011) 4720—4728

4. D. J. Late, R. V. Kanawade, P. K. Kannan, C. S. Rout. Sensor Lett., 14, N 12 (2016) 1249—1254

5. F. Wu, H. Tian, Y. Shen, Z. Hou, J. Ren, G. Gou, Y. Sun, Y. Yang, T.-L. Ren. Nature, 603 (2022) 259—264

6. X. Xu, H. Zhao, R. Wang, Z. Zhang, X. Dong, J. Pan, J. Hu, H. Zeng. Nano Energy, 48 (2013) 337—344

7. Y. Zhou, E. Song, J. Zhou, J. Lin, R. Ma, Y. Wang, W. Qiu, R. Shen, K. Suenaga, Q. Liu, J. Wang, Z. Liu, J. Liu. ACS Nano, 12, Iss. 5 (2018) 4486—4493

8. J. Gao, L. Li, J. Tan, H. Sun, B. Li, J. C. Idrobo, C. V. Singh, T.-M. Lu, N. Koratkar. Nano Lett., 16, Iss. 6 (2016) 3780—3787

9. F. Liu, S. Zheng, X. He, A. Chaturvedi, J. He, W. L. Chow, T. R. Mion, X. Wang, J. Zhou, Q. Fu, H. J. Fan, B. K. Tay, L. Song, R.-H. He, C. Kloc, P. M. Ajayan, Z. Liu. Adv. Funct. Mater., 26 (2016) 1169—1177

10. E. Liu, M. Long, J. Zeng, W. Luo, Y. Wang, Y. Pan, W. Zhou, B. Wang, W. Hu, Z. Ni, Y. You, X. Zhang, S. Qin, Y. Shi, K. Watanabe, T. Taniguchi, H. Yuan, H. Y. Hwang, Y. Cui, F. Miao, D. Xing. Adv. Funct. Mater., 26 (2016) 1938—1944

11. C. M. Corbet, C. McClellan, A. Rai, S. S. Sonde, E. Tutuc, S. K. Banerjee. ACS Nano, 9, Iss. 1 (2015) 363—370

12. M. Z. Rahman, K. Davey, S.-Z. Qiao. Adv. Funct. Mater., 27 (2017), 1606129 (1—21)

13. H. H. Murray, S. P. Kelty, R. R. Chianelli, C. S. Day. Inorg. Chem., 33, Iss. 19 (1994) 4418—4420

14. R. Coehoorn, C. Haas, J. Dijkstra, C. J. F. Flipse. Phys. Rev. B, 35, Iss. 12 (1987) 6195—6202

15. W. J. Schutte, J. L. De Boer, F. Jellinek. J. Solid State Chem., 70, Iss. 2 (1987) 207—209

16. T. Ozaki. Phys. Rev. B, 67, Iss. 15 (2003) 155108(1—5)

17. T. Ozaki, H. Kino. Phys. Rev. B, 69, Iss. 19 (2004) 195113(1—19)

18. T. Ozaki, H. Kino. Phys. Rev. B, 72, Iss. 4 (2005) 045121(1—8)

19. D. M. Ceperley, B. J. Alder. Phys. Rev. Lett., 45, Iss. 7 (1980) 566(1—4)

20. S. S. Coutinho, M. S. Tavares, C. A. Barboza, N. F. Frazão, E. Moreira, D. L. Azevedo. J. Phys. Chem. Solids, 111 (2017) 25—33

21. L. Feng, Z. Wang, Z. Liu. Solid State Commun., 187 (2014) 43—47

Источник

Информация

Автор

Баглов А. В. Белорусский государственный университет; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Хорошко Л. С. Белорусский государственный университет; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Страницы

651-656

Год издания

2022

Ключевые слова

Коллекции

Журнал прикладной спектроскопии