@article{Баглов А. В.2022-09-24,
author = { Баглов А. В.,  Хорошко Л. С.},
title = {КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДИСУЛЬФИДА РЕНИЯ},
year = {2022},
doi = {10.47612/0514-7506-2022-89-5-651-656},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Исследованы кристаллическая структура и электронные свойства дисульфида рения триклинной сингонии в рамках теории функционала плотности и теории псевдопотенциала. Показано, что рассчитанные в рамках приближения локальной плотности параметры и углы элементарной ячейки находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными. Установлено, что наблюдаемый прямозонный характер дисульфида рения связан c межзонными переходами в точке X. Энергетический спектр электронов характеризуется большим числом долин, а электронная структура преимущественно образована 3p- и 5d-состояниями ионов серы и рения соответственно, причем при переходе от валентной зоны к зоне проводимости роль 5d-состояний возрастает, а 3p-состояний уменьшается. Наблюдаемое строение обусловлено низкосимметричной элементарной ячейкой и большим числом неэквивалентных позиций составляющих ее ионов. },
URL = {https://www.academjournals.by/publication/15569},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/15525},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}