TY  - JOUR
T1  - ДРЕЙФ И ДИФФУЗИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПО ДВУХУРОВНЕВЫМ (ТРЕХЗАРЯДНЫМ) ТОЧЕЧНЫМ ДЕФЕКТАМ В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
JF  - Доклады Национальной академии наук Беларуси
AU  - ПОКЛОНСКИЙ Н. А., 
AU  - КОВАЛЕВ А. И., 
AU  - ВЫРКО С. А., 
Y1  - 2016-06-09
UR  - https://www.academjournals.by/publication/3141
N2  - В дрейфово-диффузионном приближении рассматривается миграция как одиночных электронов, так и пар электронов (биполяронов) посредством прыжков их между неподвижными точечными дефектами одного сорта (вида) в трех зарядовых состояниях (–1, 0, +1) при наложении на полупроводник внешнего электрического поля. Получены аналитические выражения для длины экранирования стационарного электрического поля и длины диффузии электронов, прыгающих по таким дефектам кристаллической решетки.