RT - article
SR - Electronic
T1 - ДРЕЙФ И ДИФФУЗИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПО ДВУХУРОВНЕВЫМ (ТРЕХЗАРЯДНЫМ) ТОЧЕЧНЫМ ДЕФЕКТАМ В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
JF - Доклады Национальной академии наук Беларуси
SP - 2016-06-09
A1 - ПОКЛОНСКИЙ Н. А., 
A1 - КОВАЛЕВ А. И., 
A1 - ВЫРКО С. А., 
YR - 2014
UL - https://www.academjournals.by/publication/3141
AB - В дрейфово-диффузионном приближении рассматривается миграция как одиночных электронов, так и пар электронов (биполяронов) посредством прыжков их между неподвижными точечными дефектами одного сорта (вида) в трех зарядовых состояниях (–1, 0, +1) при наложении на полупроводник внешнего электрического поля. Получены аналитические выражения для длины экранирования стационарного электрического поля и длины диффузии электронов, прыгающих по таким дефектам кристаллической решетки.