%0 article
%A ПОКЛОНСКИЙ Н. А., 
%A КОВАЛЕВ А. И., 
%A ВЫРКО С. А., 
%T ДРЕЙФ И ДИФФУЗИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПО ДВУХУРОВНЕВЫМ (ТРЕХЗАРЯДНЫМ) ТОЧЕЧНЫМ ДЕФЕКТАМ В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
%D 2014
%J Доклады Национальной академии наук Беларуси
%X В дрейфово-диффузионном приближении рассматривается миграция как одиночных электронов, так и пар электронов (биполяронов) посредством прыжков их между неподвижными точечными дефектами одного сорта (вида) в трех зарядовых состояниях (–1, 0, +1) при наложении на полупроводник внешнего электрического поля. Получены аналитические выражения для длины экранирования стационарного электрического поля и длины диффузии электронов, прыгающих по таким дефектам кристаллической решетки.
%U https://www.academjournals.by/publication/3141