@article{ПОКЛОНСКИЙ Н. А.2016-06-09,
author = { ПОКЛОНСКИЙ Н. А.,  КОВАЛЕВ А. И.,  ВЫРКО С. А.},
title = {ДРЕЙФ И ДИФФУЗИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПО ДВУХУРОВНЕВЫМ (ТРЕХЗАРЯДНЫМ) ТОЧЕЧНЫМ ДЕФЕКТАМ В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ},
year = {2014},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {В дрейфово-диффузионном приближении рассматривается миграция как одиночных электронов, так и пар электронов (биполяронов) посредством прыжков их между неподвижными точечными дефектами одного сорта (вида) в трех зарядовых состояниях (–1, 0, +1) при наложении на полупроводник внешнего электрического поля. Получены аналитические выражения для длины экранирования стационарного электрического поля и длины диффузии электронов, прыгающих по таким дефектам кристаллической решетки.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/3141},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/3123},
journal = {Доклады Национальной академии наук Беларуси},
}