УПРАВЛЯЕМАЯ ТРАНСФОРМАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ БИПОЛЯРНЫХ МОЩНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ ИОННЫМИ ПУЧКАМИ

СОЛОДУХА В. А.; СНИТОВСКИЙ Ю. П.

УПРАВЛЯЕМАЯ ТРАНСФОРМАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ БИПОЛЯРНЫХ МОЩНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ ИОННЫМИ ПУЧКАМИ

СОЛОДУХА В. А., СНИТОВСКИЙ Ю. П.

2015

Наличие метода, обеспечивающего возможность контролируемого создания объемного «рисунка», состоящего из областей с требуемыми физическими и химическими свойствами, является ключевым условием для радикального прогресса в технологии XXI в. Это особенно актуально, если метод позволяет обеспечить создание таких областей с размерами вплоть до нанометровых. В работе впервые предлагается способ целенаправленной прямой трансформации характеристик кремниевого биполярного мощного СВЧ-транзистора за счет изменения химического состава на границе молибден–кремний, электрофизических свойств молибден-кремниевых контактов, электрофизических характеристик областей транзисторной структуры, облучая ионами фосфора сформированные омические контакты молибден–кремний к эмиттерам транзистора. Возможности этого метода исследованы и подтверждены экспериментами.

СОЛОДУХА В. А., СНИТОВСКИЙ Ю. П. УПРАВЛЯЕМАЯ ТРАНСФОРМАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ БИПОЛЯРНЫХ МОЩНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ ИОННЫМИ ПУЧКАМИ. Доклады Национальной академии наук Беларуси. 2015;59(1):112-117.

Цитирование

Список литературы

1. Гурович Б. А., Долгий Д. Н., Кулешова Е. А. и др. // УФН. 2001. Т. 171, № 1. С. 105–117.

2. Способ изготовления СВЧ-транзисторов: а. с. 897048 СССР, МКИ3 H01L 21/331 / В. Ф. Данилов, Ю. П. Снитовский, А. А. Рассадин, В. П. Калиновченко; заявл. 09.09.1980, опубл. 20.03.2012 // Офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» / Федеральная служба по интеллектуал. собственности, патентам и товарным знакам РФ. 2012. № 8. С. 486.

3. Снитовский Ю. П. // Электрон. промышленность. 1992. № 1. С. 59–60.

4. Способ изготовления транзисторов: а. с. 1828333 СССР, МКИ5 H01L 21/33 / Ю. П. Снитовский, А. П. Матюшевский; заявл. 04.11.1989, опубл. 20.03.2012 // Офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» / Федеральная служба по интеллектуал. собственности, патентам и товарным знакам РФ. 2012. № 8. С. 488.

5. http://www.silvaco.com.

6. Гурский Л. И., Зеленин В. А., Бобченок Ю. Л. и др. // Изв. АН БССР. Сер. физ.-техн. наук. 1981. № 1. С. 112–116.

7. Tokuyama T., Miyao M., Yoshihir N. // Japan. J. Appl. Phys. 1978. Vol. 17, N 8. P. 1301–1315.

8. Аброян И. А., Дубро В. В., Ильин И. А. и др. // Электрон. техника. Сер. 2. 1981. Вып. 4. С. 36–40.

9. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М., 1977.

10. Chiang S. W., Chow T. P., Reihi R. F., Wang K. L. // J. Appl. Phys. 1981. Vol. 52, N 6. P. 4027–4032.

11. Гурский Л. И., Зеленин В. А., Бобченок Ю. Л. // Физика и химия обработки материалов. 1984. № 5. С. 72–75.

12. Snitovsky Y. P., Efremov V. A. // Proceedings of SPIE. 2009. Vol. 7377. P. 737718-1–737718-5.

13. Тагер А. С. // Литовский физический сб. 1981. Т. 21, № 4. С. 23–44.

14. Снитовский Ю. П. // Тр. XIV Междунар. совещания «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 5–10 июля 2004 г. М., 2004. С. 445–449.

15. Способ изготовления транзистора: пат. 15265 Респ. Беларусь, МПК7 H 01L 21/331 / Ю. П. Снитовский, В. В. Нелаев, В. А. Ефремов; заявл. 22.04.2009; опубл. 30.12.2011 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi.

16. № 6. С. 174.

Источник

Информация

Автор

СОЛОДУХА В. А. Открытое акционерное общество «Интеграл», Минск
СНИТОВСКИЙ Ю. П. Открытое акционерное общество «Интеграл», Минск

Страницы

112-117

Год издания

2015

Коллекции

Доклады Национальной академии наук Беларуси