RT - article
SR - Electronic
T1 - ВЛИЯНИЕ ВАКАНСИОННЫХ ДЕФЕКТОВ И ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ ДВУМЕРНЫХ КРИСТАЛЛОВ MoS2, MoSе2, WS2 И WSe2
JF - Доклады Национальной академии наук Беларуси
SP - 2017-01-06
A1 - Кривошеева А. В., 
A1 - Шапошников В. Л., 
A1 - Борисенко В. Е., 
YR - 2016
UL - https://www.academjournals.by/publication/2956
AB - Исследованы возможности регулирования ширины запрещённой зоны у двумерных дихалькогенидов тугоплавких металлов MoS2, MoSe2, WS2 и WSe2 за счёт примесных атомов или вакансий. Рассмотрены случаи, когда атом кислорода замещает атом халькогена либо адсорбирован на поверхности. Замещающая примесь приводит к незначительному увеличению ширины запрещённой зоны, адсорбция атомов кислорода – к её уменьшению относительно нелегированного материала. Вакансия на месте атома халькогена приводит к изменению дисперсии зон и появлению дополнительных энергетических уровней.