17 Кривошеева А. В. Шапошников В. Л. Борисенко В. Е. двумерные кристаллы монослой электронная структура примесь адсорбция вакансия 2016 2017-01-06 Доклады Национальной академии наук Беларуси Исследованы возможности регулирования ширины запрещённой зоны у двумерных дихалькогенидов тугоплавких металлов MoS2, MoSe2, WS2 и WSe2 за счёт примесных атомов или вакансий. Рассмотрены случаи, когда атом кислорода замещает атом халькогена либо адсорбирован на поверхности. Замещающая примесь приводит к незначительному увеличению ширины запрещённой зоны, адсорбция атомов кислорода – к её уменьшению относительно нелегированного материала. Вакансия на месте атома халькогена приводит к изменению дисперсии зон и появлению дополнительных энергетических уровней. https://www.academjournals.by/publication/2956 https://www.academjournals.by/files/2938