@article{Кривошеева А. В.2017-01-06,
author = { Кривошеева А. В.,  Шапошников В. Л.,  Борисенко В. Е.},
title = {ВЛИЯНИЕ ВАКАНСИОННЫХ ДЕФЕКТОВ И ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ ДВУМЕРНЫХ КРИСТАЛЛОВ MoS2, MoSе2, WS2 И WSe2},
year = {2016},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Исследованы возможности регулирования ширины запрещённой зоны у двумерных дихалькогенидов тугоплавких металлов MoS2, MoSe2, WS2 и WSe2 за счёт примесных атомов или вакансий. Рассмотрены случаи, когда атом кислорода замещает атом халькогена либо адсорбирован на поверхности. Замещающая примесь приводит к незначительному увеличению ширины запрещённой зоны, адсорбция атомов кислорода – к её уменьшению относительно нелегированного материала. Вакансия на месте атома халькогена приводит к изменению дисперсии зон и появлению дополнительных энергетических уровней.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/2956},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/2938},
journal = {Доклады Национальной академии наук Беларуси},
}