17 Моховиков М. А. Комаров Ф. Ф. Власукова Л. А. Мильчанин О. В. Пархоменко И. Н. Вендлер Э. Ковальчук Н. С. ионная имплантация при повышенной температуре кристаллические нанокластеры прямозонные полупроводники ZnSe и ZnS комбинационное рассеяние света просвечивающая электронная микроскопия 2017 2017-12-17 Доклады Национальной академии наук Беларуси В работе продемонстрирована возможность одновременного формирования в слоях SiO2 наноразмерных кластеров ZnSe и ZnS. Использовались «горячие» (550 °С) условия имплантации ионов Se, Zn и S c последующей высокотемпературной обработкой (900 °С, 30 мин). Было изготовлено две серии образцов: первая имплантировалась ионами Se и Zn, вторая – ионами Se, Zn и S. Установлено, что формирование слоев с наноразмерными (от 2 до 20 нм) кластерами в оксидной матрице происходит уже в процессе «горячей» имплантации примесей. Последующая термообработка приводит к существенной структурной перестройке слоев с кластерами. В отожженных образцах в области максимальной концентрации внедренных примесей формируются крупные кристаллиты (до 90 нм), в то время как в приповерхностной области диоксида кремния наблюдаются мелкие преципитаты. Методом комбинационного рассеяния света и в образцах сразу после имплантации, и в отожженных образцах зарегистрировано формирование кластеров кристаллической фазы ZnSe (для первой серии) и кластеров фаз ZnSe + ZnS (для второй серии).  https://www.academjournals.by/publication/2821 https://www.academjournals.by/files/2805