%0 article
%A Моховиков М. А., 
%A Комаров Ф. Ф., 
%A Власукова Л. А., 
%A Мильчанин О. В., 
%A Пархоменко И. Н., 
%A Вендлер Э. , 
%A Ковальчук Н. С., 
%T ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКЛАСТЕРОВ ZnSe И ZnS В СЛОЯХ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ
%D 2017
%J Доклады Национальной академии наук Беларуси
%X В работе продемонстрирована возможность одновременного формирования в слоях SiO2 наноразмерных кластеров ZnSe и ZnS. Использовались «горячие» (550 °С) условия имплантации ионов Se, Zn и S c последующей высокотемпературной обработкой (900 °С, 30 мин). Было изготовлено две серии образцов: первая имплантировалась ионами Se и Zn, вторая – ионами Se, Zn и S. Установлено, что формирование слоев с наноразмерными (от 2 до 20 нм) кластерами в оксидной матрице происходит уже в процессе «горячей» имплантации примесей. Последующая термообработка приводит к существенной структурной перестройке слоев с кластерами. В отожженных образцах в области максимальной концентрации внедренных примесей формируются крупные кристаллиты (до 90 нм), в то время как в приповерхностной области диоксида кремния наблюдаются мелкие преципитаты. Методом комбинационного рассеяния света и в образцах сразу после имплантации, и в отожженных образцах зарегистрировано формирование кластеров кристаллической фазы ZnSe (для первой серии) и кластеров фаз ZnSe + ZnS (для второй серии). 
%U https://www.academjournals.by/publication/2821