17 Поклонский Н. А. Ковалев А. И. Вырко С. А. Власов А. Т. радиационные многозарядные дефекты прыжковая миграция электронов дрейфово-диффузионное приближение полупроводниковый диод вольт-амперная характеристика 2017 2017-08-15 Доклады Национальной академии наук Беларуси Впервые рассматривается полупроводниковый p+n+-диод, полностью компенсированный точечными радиацион- ными дефектами (rt-дефектами) одного сорта в трех зарядовых состояниях(-1, 0, +1 в единицах элементарного заряда) на фоне кристаллической матрицы. Каждый rt-дефект вносит два уровня энергии в запрещенную энергетическую зону полупроводника. Такой диод, в котором отсутствуют и электроны в зоне проводимости, и дырки в валентной зоне, называется ζ-диодом. Перенос зарядов в ζ-диоде осуществляется только посредством прыжков электронов между rt-дефектами. В дрейфово-диффузионном приближении численно решена система нелинейных дифференциальных уравнений, описывающая прыжковую миграцию электронов по rt-дефектам. Рассчитаны распределение электрического потенциала и зарядовых состояний дефектов вдоль ζ-диода, а также его статическая вольт-амперная характеристика для температуры 78 К. Показана возможность выпрямления прыжкового тока в ζ-диоде на основе кристаллического кремния, частично разупорядоченного точечными радиационными дефектами.  https://www.academjournals.by/publication/2785 https://www.academjournals.by/files/2769