17 Климович И. М. Комаров Ф. Ф. Зайков В. А. реактивное магнетронное осаждение Ti–Al–C–N растровая электронная микроскопия удельное сопротивление коэффициент солнечного поглощения коэффициент излучения 2018 2018-09-12 10.29235/1561-8323-2018-62-4-415-422 Доклады Национальной академии наук Беларуси Покрытия Ti–Al–C–N формировались методом реактивного магнетронного осаждения при различных температурах нагрева Ts (220, 340 и 440 °C) и потенциалах смещения Uсм (–90, –150 и –200 В) на подложке. Методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии установлено, что повышение Uсм приводит к увеличению атомарной концентрации аргона и соотношения (Al + Ti) / (Ti + N) и уменьшению концентрации кислорода в составе покрытий Ti–Al–C–N, а повышение Ts способствует уменьшению фоновой концентрации кислорода. С помощью растровой электронной микроскопии зафиксирована смена типа структуры покрытий (столбчатая, зернистая и смешанная столбчато-зернистая) при изменении Ts и Uсм. Электрофизические измерения показали изменение удельных сопротивлений пленок в пределах от 1982 до 3169 мкОм · см при изменении технологических условий осаждения. При варьировании Ts и Uсм коэффициенты солнечного поглощения αs менялись в пределах от 0,24 до 0,54, излучения – от 0,33 до 0,52, и соотношения αs / ε – от 0,60 до 1,44. Полученные результаты свидетельствуют о возможности варьирования электрофизических и оптических характеристик пленок Ti–Al–C–N путем выбора оптимальных условий их формирования – температуры нагрева подложки и потенциала смещения. https://www.academjournals.by/publication/2705 https://www.academjournals.by/files/2689