17 Комаров Ф. Ф. Нечаев Н. С. Пархоменко И. Н. Ивлев Г. Д. Власукова Л. А. Пилько В. В. Вендлер Э. Комаров А. Ф. ИК-фотодетекторы кремний высокодозная имплантация ионов Te импульсный лазерный отжиг резерфордовское обратное рассеяние комбинационное рассеяние света спектры поглощения 2019 2019-09-12 10.29235/1561-8323-2019-63-4-430-436 Доклады Национальной академии наук Беларуси Слои кремния, легированные теллуром до концентраций (3–5)1020 см–3, получены ионной имплантацией с последующим импульсным лазерным отжигом. Показано, что 70–90 % внедренной примеси находится в позиции замещения в решетке кремния. Слои, гиперпересыщенные теллуром, проявляют существенное поглощение (35–66 %) в области длин волн 1100–2500 нм, причем коэффициент поглощения увеличивается с ростом длины волны. Проведено сравнение спектров поглощения имплантированных слоев после лазерного отжига, а также после равновесного и быстрого термического отжигов. Показано, что равновесный отжиг после имплантации ионов теллура увеличивает поглощение фотонов в области длин волн 1100–2500 нм на 4 % по сравнению с неимплантированным кремнием. После быстрого термического отжига поглощение в ИК-области возрастает лишь на 2 %. https://www.academjournals.by/publication/2613 https://www.academjournals.by/files/2611