%0 article
%A Комаров Ф. Ф., 
%A Нечаев Н. С., 
%A Пархоменко И. Н., 
%A Ивлев Г. Д., 
%A Власукова Л. А., 
%A Пилько В. В., 
%A Вендлер Э. , 
%A Комаров А. Ф., 
%T Формирование фотоприемных структур ИК-диапазона путем пересыщения кремния теллуром
%D 2019
%R 10.29235/1561-8323-2019-63-4-430-436
%J Доклады Национальной академии наук Беларуси
%X Слои кремния, легированные теллуром до концентраций (3–5)1020 см–3, получены ионной имплантацией с последующим импульсным лазерным отжигом. Показано, что 70–90 % внедренной примеси находится в позиции замещения в решетке кремния. Слои, гиперпересыщенные теллуром, проявляют существенное поглощение (35–66 %) в области длин волн 1100–2500 нм, причем коэффициент поглощения увеличивается с ростом длины волны. Проведено сравнение спектров поглощения имплантированных слоев после лазерного отжига, а также после равновесного и быстрого термического отжигов. Показано, что равновесный отжиг после имплантации ионов теллура увеличивает поглощение фотонов в области длин волн 1100–2500 нм на 4 % по сравнению с неимплантированным кремнием. После быстрого термического отжига поглощение в ИК-области возрастает лишь на 2 %.
%U https://www.academjournals.by/publication/2613