@article{Комаров Ф. Ф.2019-09-12,
author = { Комаров Ф. Ф.,  Нечаев Н. С.,  Пархоменко И. Н.,  Ивлев Г. Д.,  Власукова Л. А.,  Пилько В. В.,  Вендлер Э. ,  Комаров А. Ф.},
title = {Формирование фотоприемных структур ИК-диапазона путем пересыщения кремния теллуром},
year = {2019},
doi = {10.29235/1561-8323-2019-63-4-430-436},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Слои кремния, легированные теллуром до концентраций (3–5)1020 см–3, получены ионной имплантацией с последующим импульсным лазерным отжигом. Показано, что 70–90 % внедренной примеси находится в позиции замещения в решетке кремния. Слои, гиперпересыщенные теллуром, проявляют существенное поглощение (35–66 %) в области длин волн 1100–2500 нм, причем коэффициент поглощения увеличивается с ростом длины волны. Проведено сравнение спектров поглощения имплантированных слоев после лазерного отжига, а также после равновесного и быстрого термического отжигов. Показано, что равновесный отжиг после имплантации ионов теллура увеличивает поглощение фотонов в области длин волн 1100–2500 нм на 4 % по сравнению с неимплантированным кремнием. После быстрого термического отжига поглощение в ИК-области возрастает лишь на 2 %.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/2613},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/2611},
journal = {Доклады Национальной академии наук Беларуси},
}