RT - article
SR - Electronic
T1 - Спин-зависимое туннелирование на поверхностные состояния диоксида титана
JF - Доклады Национальной академии наук Беларуси
SP - 2020-12-31
DO - 10.29235/1561-8323-2020-64-6-670-677
A1 - Сидорова Т. Н., 
A1 - Данилюк А. Л., 
A1 - Борисенко В. Е., 
YR - 2020
UL - https://www.academjournals.by/publication/2552
AB - Представлены результаты моделирования спин-зависимого туннелирования электронов на поверхностные состояния диоксида титана, образованные адсорбированными органическими соединениями. Коэффициент туннельной прозрачности для генерируемых солнечным светом электронов рассчитан с помощью разработанной модели на основе метода фазовых функций. В качестве инжектора спин-зависимых электронов в диоксид титана в структуре используется пленка ферромагнетика. Показано, что величина спиновой поляризации электронов на поверхностных состояниях составляет 10–25 %, что может способствовать реализации спинового катализа процессов разложения органических соединений на поверхности диоксида титана.