RT - article
SR - Electronic
T1 - Структурные и оптические свойства оксида кремния, имплантированного ионами цинка: влияние степени пересыщения и термообработки
JF - Доклады Национальной академии наук Беларуси
SP - 2020-07-08
DO - 10.29235/1561-8323-2020-64-3-273-281
A1 - Моховиков М. А., 
A1 - Мильчанин О. В., 
A1 - Пархоменко И. Н., 
A1 - Комаров Ф. Ф., 
A1 - Власукова Л. А., 
A1 - Королев Д. С., 
A1 - Мудрый А. В., 
A1 - Живулько В. Д., 
A1 - ван Вуурен Арно Янсе, 
YR - 2020
UL - https://www.academjournals.by/publication/2505
AB - Методом просвечивающей электронной микроскопии и электронной дифракции изучен фазовоструктурный состав слоев аморфного оксида кремния, имплантированного ионами цинка, в зависимости от степени пересыщения примесью. Показано, что нанокластеры малого размера (1–2 нм) формируются уже в процессе ионной имплантации при комнатной температуре при концентрации цинка 6–7 ат. %, тогда как для формирования нанокластеров размером 5–7 нм необходима концентрация цинка 16–18 ат. %. Длительный печной отжиг при 750 °C в течение 2 ч приводит к формированию кристаллической фазы ромбического Zn2SiO4 (пространственная группа симметрии R-3) в случае меньшего флюенса (5 · 1016 cм–2) и кубической фазы ZnO (пространственная группа симметрии F-43m) в случае бÓльшего флюенса (1 · 1017 cм–2). Установлено, что потери примеси при имплантации, а также в процессе термообработки увеличиваются с ростом флюенса внедряемых ионов. Проведена оценка количества атомов цинка, находящихся в кластерах после проведения отжига: 15 и 18 % для флюенсов 5 · 1016 и 1 · 1017 cм–2 соответственно. Примесь, оставшаяся в растворенном состоянии в матрице SiO2, негативно влияет на интенсивность сигнала люминесценции от пленки оксида кремния с нанокристаллами Zn2SiO4 и ZnO.