RT - article
SR - Electronic
T1 - Влияние деформаций решетки на электронную структуру монослоя дисульфида молибдена
JF - Доклады Национальной академии наук Беларуси
SP - 2021-02-23
DO - 10.29235/1561-8323-2021-65-1-40-45
A1 - Кривошеева А. В., 
A1 - Шапошников В. Л., 
A1 - Борисенко В. Е., 
YR - 2021
UL - https://www.academjournals.by/publication/2386
AB - Методами теоретического моделирования определены возможности и условия модификации ширины запрещенной зоны и характера межзонных переходов при воздействии сжимающих и растягивающих напряжений на кристаллическую решетку дисульфида молибдена мономолекулярной толщины. Показано, что в зависимости от направления и величины возникающей деформации решетки материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником, и определены условия таких трансформаций. Результаты свидетельствуют о потенциальной возможности применения монослоев дисульфида молибдена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда.