PT - JOURNAL ARTICLE
AU - Кривошеева А. В., 
AU - Шапошников В. Л., 
AU - Борисенко В. Е., 
TI - Влияние деформаций решетки на электронную структуру монослоя дисульфида молибдена
DP - 2021-02-23
TA - Доклады Национальной академии наук Беларуси
4100 - 10.29235/1561-8323-2021-65-1-40-45
SO - https://www.academjournals.by/publication/2386
AB - Методами теоретического моделирования определены возможности и условия модификации ширины запрещенной зоны и характера межзонных переходов при воздействии сжимающих и растягивающих напряжений на кристаллическую решетку дисульфида молибдена мономолекулярной толщины. Показано, что в зависимости от направления и величины возникающей деформации решетки материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником, и определены условия таких трансформаций. Результаты свидетельствуют о потенциальной возможности применения монослоев дисульфида молибдена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда.