<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Кривошеева А. В.</author>
     <author>Шапошников В. Л.</author>
     <author>Борисенко В. Е.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Влияние деформаций решетки на электронную структуру монослоя дисульфида молибдена</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>дисульфид молибдена</keyword>
    <keyword>монослой</keyword>
    <keyword>зонная структура</keyword>
    <keyword>ширина запрещенной зоны</keyword>
    <keyword>деформация</keyword>
    <keyword>напряжения</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2021</year>
    <pub-dates>
     <date>2021-02-23</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.29235/1561-8323-2021-65-1-40-45</doi>
   <journal>Доклады Национальной академии наук Беларуси</journal>
   <abstract>Методами теоретического моделирования определены возможности и условия модификации ширины запрещенной зоны и характера межзонных переходов при воздействии сжимающих и растягивающих напряжений на кристаллическую решетку дисульфида молибдена мономолекулярной толщины. Показано, что в зависимости от направления и величины возникающей деформации решетки материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником, и определены условия таких трансформаций. Результаты свидетельствуют о потенциальной возможности применения монослоев дисульфида молибдена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/2386</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/2384</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
