@article{Кривошеева А. В.2021-02-23,
author = { Кривошеева А. В.,  Шапошников В. Л.,  Борисенко В. Е.},
title = {Влияние деформаций решетки на электронную структуру монослоя дисульфида молибдена},
year = {2021},
doi = {10.29235/1561-8323-2021-65-1-40-45},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Методами теоретического моделирования определены возможности и условия модификации ширины запрещенной зоны и характера межзонных переходов при воздействии сжимающих и растягивающих напряжений на кристаллическую решетку дисульфида молибдена мономолекулярной толщины. Показано, что в зависимости от направления и величины возникающей деформации решетки материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником, и определены условия таких трансформаций. Результаты свидетельствуют о потенциальной возможности применения монослоев дисульфида молибдена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/2386},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/2384},
journal = {Доклады Национальной академии наук Беларуси},
}