RT - article
SR - Electronic
T1 - Устойчивость ряда конструкционных материалов и по- ликристаллического SiC к блистерингу и флекингу при имплантации ионов гелия и отжиге
JF - Доклады Национальной академии наук Беларуси
SP - 2023-10-31
DO - 10.29235/1561-8323-2023-67-5-373-379
A1 - Пилько (мл.) В. В., 
A1 - Комаров Ф. Ф., 
A1 - Пилько В. В., 
YR - 2023
UL - https://www.academjournals.by/publication/2290
AB -    Изложены результаты исследования устойчивости ряда конструкционных материалов (сплав Д16Т, Zr, стали ЭИ-847, 12Х18Н9Т) и поликристаллического SiC к блистерингу и флекингу при облучении ионами гелия с энергией 500 КэВ в диапазоне доз от 1016 до 3·1018 ион/cм2 и постимплантационном отжиге. Образцы нержавеющих сталей, циркония, сплава Д16Т и карбида кремния облучены ионами гелия. Методом оптической микроскопии изучена структура поверхностных слоев облученных материалов непосредственно после облучения и после термического отжига при температурах от 300 до 750 °С. Определены дозовые и температурные диапазоны устойчивости к блистерингу и флекингу для всех изученных материалов. Рассмотрены основные виды нарушений структуры материалов.