<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Пилько (мл.) В. В.</author>
     <author>Комаров Ф. Ф.</author>
     <author>Пилько В. В.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Устойчивость ряда конструкционных материалов и по- ликристаллического SiC к блистерингу и флекингу при имплантации ионов гелия и отжиге</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>имплантация</keyword>
    <keyword>ионы гелия</keyword>
    <keyword>отжиг</keyword>
    <keyword>блистеринг</keyword>
    <keyword>флекинг</keyword>
    <keyword>радиационная стойкость</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2023</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-10-31</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.29235/1561-8323-2023-67-5-373-379</doi>
   <journal>Доклады Национальной академии наук Беларуси</journal>
   <abstract>   Изложены результаты исследования устойчивости ряда конструкционных материалов (сплав Д16Т, Zr, стали ЭИ-847, 12Х18Н9Т) и поликристаллического SiC к блистерингу и флекингу при облучении ионами гелия с энергией 500 КэВ в диапазоне доз от 1016 до 3·1018 ион/cм2 и постимплантационном отжиге. Образцы нержавеющих сталей, циркония, сплава Д16Т и карбида кремния облучены ионами гелия. Методом оптической микроскопии изучена структура поверхностных слоев облученных материалов непосредственно после облучения и после термического отжига при температурах от 300 до 750 °С. Определены дозовые и температурные диапазоны устойчивости к блистерингу и флекингу для всех изученных материалов. Рассмотрены основные виды нарушений структуры материалов.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/2290</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/2288</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
