<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Витязь П. А.</author>
     <author>Сенють В. Т.</author>
     <author>Парницкий А. М.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Анализ процесса превращения в алмаз тонкого слоя графитоподобного углерода на поверхности детонационного наноалмаза</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>наноалмаз</keyword>
    <keyword>неалмазные формы углерода</keyword>
    <keyword>диаграмма состояния</keyword>
    <keyword>фазовые превращения</keyword>
    <keyword>химический потенциал</keyword>
    <keyword>наноструктурный поликристаллический материал</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2023</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-09-01</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.29235/1561-8323-2023-67-4-331-339</doi>
   <journal>Доклады Национальной академии наук Беларуси</journal>
   <abstract>Рассмотрен процесс получения наноструктурных алмазных материалов за счет фазового превращения в алмаз тонких пленок на основе неалмазных форм углерода, сформированных на поверхности наноалмаза. Для синтеза наноструктурного алмазного поликристаллического сверхтвердого материала предложены различные варианты исходной шихты на основе наноалмаза с неалмазным углеродом на поверхности (поверхностно-графитизированный наноалмаз, поверхностно-графитизированный наноалмаз с добавкой очищенного наноалмаза, детонационная алмазосодержащая шихта с поверхностным слоем «аморфного» углерода, в т. ч. с добавкой очищенного наноалмаза). Выявлено влияние структуры тонкого неалмазного слоя на параметры перехода графита в алмаз. Для углеродной пленки с неупорядоченной структурой (так называемый аморфный углерод) давление перехода в алмаз составит порядка 10–15 ГПа, что существенно выше давления фазового превращения для тонких пленок графита в данном температурном диапазоне. Показано, что рост давления превращения тонкого слоя «аморфного» углерода вызван его более низкой поверхностной энергией по сравнению с поверхностной энергией графита. Установлено, что область превращения тонкой графитоподобной пленки толщиной порядка 1 нм, сформированной на поверхности наноалмаза размером 2–10 нм, в алмаз будет находиться ниже линии равновесия графит–алмаз в диапазоне температур 1000–2500 °С. Дополнительное введение очищенных частиц наноалмазов приводит к снижению давления превращения тонких слоев неалмазного углерода в алмазную структуру с 10–15 до 2–7 ГПа, что обусловлено влиянием поверхности каталитически активных алмазных наночастиц.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/2285</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/2283</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
