RT - article
SR - Electronic
T1 - Гипердопирование кремния с помощью имплантации ионов селена и марганца и импульсного лазерного отжига
JF - Доклады Национальной академии наук Беларуси
SP - 2024-04-29
DO - 10.29235/1561-8323-202468-2-112-117
A1 - Ван Тин , 
A1 - Комаров Ф. Ф., 
A1 - Пархоменко И. Н., 
A1 - Ян Гофэн , 
A1 - Сюэ Цзюньцзюнь , 
YR - 2024
UL - https://www.academjournals.by/publication/2197
AB - Изучено влияние импульсного лазерного отжига (ИЛО) на структуру и оптические свойства имплантированных ионами Mn-, Seи (Mn+Se)-слоев кремния. Ионы Mn+ с энергией 95 кэВ и Se+ с энергией 200 кэВ отдельно и совместно были имплантированы в пластины Si p-типа равными флюенсами 1 · 1016 см–2 при комнатной температуре. Затем образцы облучались импульсами рубинового лазера с плотностью энергии 2 Дж/см2. Детальное перераспределение атомов Mn и Se в имплантированных слоях при ИЛО исследовалось с помощью случайных и каналированных спектров резерфордовского обратного рассеяния. Было обнаружено, что значительный процент имплантированного марганца диффундирует к поверхности кремния, а концентрационный профиль Se по глубине уширяется как к поверхности, так и в глубь образца в течение ИЛО. Совместная имплантация Mn усиливает диффузию Se к поверхности, уменьшает активацию Se в кристаллическом кремнии, но улучшает кристаллическую структуру имплантированного слоя кремния. В отличие от образцов, имплантированных только Mn, Se-имплантированные и (Mn+Se)-коимплантированные образцы после ИЛО демонстрируют сильное оптическое поглощение в инфракрасном диапазоне. Наблюдаемая полоса поглощения при 0,6 эВ связана с электронными переходами между сформированной подзоной и нижними энергетическими уровнями зоны проводимости.