<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Ван Тин </author>
     <author>Комаров Ф. Ф.</author>
     <author>Пархоменко И. Н.</author>
     <author>Ян Гофэн </author>
     <author>Сюэ Цзюньцзюнь </author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Гипердопирование кремния с помощью имплантации ионов селена и марганца и импульсного лазерного отжига</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>кремний</keyword>
    <keyword>гипердопирование</keyword>
    <keyword>имплантация селена и марганца</keyword>
    <keyword>лазерный отжиг</keyword>
    <keyword>подзона</keyword>
    <keyword>поглощение</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2024</year>
    <pub-dates>
     <date>2024-04-29</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.29235/1561-8323-202468-2-112-117</doi>
   <journal>Доклады Национальной академии наук Беларуси</journal>
   <abstract>Изучено влияние импульсного лазерного отжига (ИЛО) на структуру и оптические свойства имплантированных ионами Mn-, Seи (Mn+Se)-слоев кремния. Ионы Mn+ с энергией 95 кэВ и Se+ с энергией 200 кэВ отдельно и совместно были имплантированы в пластины Si p-типа равными флюенсами 1 · 1016 см–2 при комнатной температуре. Затем образцы облучались импульсами рубинового лазера с плотностью энергии 2 Дж/см2. Детальное перераспределение атомов Mn и Se в имплантированных слоях при ИЛО исследовалось с помощью случайных и каналированных спектров резерфордовского обратного рассеяния. Было обнаружено, что значительный процент имплантированного марганца диффундирует к поверхности кремния, а концентрационный профиль Se по глубине уширяется как к поверхности, так и в глубь образца в течение ИЛО. Совместная имплантация Mn усиливает диффузию Se к поверхности, уменьшает активацию Se в кристаллическом кремнии, но улучшает кристаллическую структуру имплантированного слоя кремния. В отличие от образцов, имплантированных только Mn, Se-имплантированные и (Mn+Se)-коимплантированные образцы после ИЛО демонстрируют сильное оптическое поглощение в инфракрасном диапазоне. Наблюдаемая полоса поглощения при 0,6 эВ связана с электронными переходами между сформированной подзоной и нижними энергетическими уровнями зоны проводимости.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/2197</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/2195</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
