RT - article
SR - Electronic
T1 - ВКР-преобразование излучения Nd:YAG микрочип-лазера в CVD-алмазе
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2026-09-28
A1 - Козич В. П., 
A1 - Чешев Е. А., 
A1 - Прохорчук К. В., 
A1 - Тупицын И. М., 
A1 - Орлович В. А., 
YR - 2026
UL - https://www.academjournals.by/publication/21235
AB - Исследовано вынужденное комбинационное рассеяние (ВКР) в монокристалле искусственного алмаза CVD, помещенного в резонатор микрочип-лазера. Микрочип-лазер построен на основе композитного кристалла: активного элемента Nd3+:YAG/пассивного затвора Cr4+:YAG. Накачка осуществлялась излучением диодного лазера (λ = 808 нм) с мощностью 2.2—4.5 Вт. Варьирование мощности накачки приводило к изменению частоты следования генерируемых на длине волны λ = 1064 нм импульсов от 7 до 30 кГц. Энергия лазерных импульсов в зависимости от экспериментальных условий варьировалась в пределах 5.1—10 мкДж, при этом их длительность находилась в диапазоне 2—3 нс. Импульсы первой стоксовой компоненты (λ = 1240 нм) имели энергию 1.75—3.75 мкДж, а их длительность по сравнению с лазерными сокращалась до минимальных 0.6 нс.