@article{Козич В. П.2026-09-28,
author = { Козич В. П.,  Чешев Е. А.,  Прохорчук К. В.,  Тупицын И. М.,  Орлович В. А.},
title = {ВКР-преобразование излучения Nd:YAG микрочип-лазера в CVD-алмазе},
year = {2026},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Исследовано вынужденное комбинационное рассеяние (ВКР) в монокристалле искусственного алмаза CVD, помещенного в резонатор микрочип-лазера. Микрочип-лазер построен на основе композитного кристалла: активного элемента Nd3+:YAG/пассивного затвора Cr4+:YAG. Накачка осуществлялась излучением диодного лазера (λ = 808 нм) с мощностью 2.2—4.5 Вт. Варьирование мощности накачки приводило к изменению частоты следования генерируемых на длине волны λ = 1064 нм импульсов от 7 до 30 кГц. Энергия лазерных импульсов в зависимости от экспериментальных условий варьировалась в пределах 5.1—10 мкДж, при этом их длительность находилась в диапазоне 2—3 нс. Импульсы первой стоксовой компоненты (λ = 1240 нм) имели энергию 1.75—3.75 мкДж, а их длительность по сравнению с лазерными сокращалась до минимальных 0.6 нс. },
URL = {https://www.academjournals.by/publication/21235},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/21082},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}