RT - article
SR - Electronic
T1 - Фотолюминесценция сильно компенсированного соединения Cu<sub>2</sub>ZnSnSe<sub>4</sub> со структурой кестерита
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2026-09-10
A1 - Живулько В. Д., 
A1 - Мудрый А. В., 
A1 - Бородавченко О. М., 
A1 - Усенко К. В., 
A1 - Луценко Е. В., 
A1 - Павловский В. Н., 
A1 - Яблонский Г. П., 
A1 - Якушев М. В., 
YR - 2026
UL - https://www.academjournals.by/publication/21140
AB -    По данным исследования спектров фотолюминесценции (ФЛ) и возбуждения ФЛ тонких пленок соединения Cu2ZnSnSe4 со структурой кестерита определена оптическая ширина запрещенной зоны Eg ≈ 1.052 эВ при температуре 6 К. В диапазоне температур 6—300 К установлены механизмы излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда, определяющие появление широких полос ФЛ в области энергий 0.7—1.1 эВ. Для прямозонного соединения Cu2ZnSnSe4 p-типа проводимости обнаружен эффект перераспределения интенсивности между каналами излучательной рекомбинации в спектральной области 0.93—0.99 эВ, указывающий на наличие глубоких акцепторных и донорных уровней в запрещенной зоне. По данным тушения интенсивности широких полос ФЛ в области энергий 0.7—1.0 эВ определена термическая энергия активации каналов безызлучательной рекомбинации с участием дефектов структуры, обсуждается их природа.