17 Живулько В. Д. Мудрый А. В. Бородавченко О. М. Усенко К. В. Луценко Е. В. Павловский В. Н. Яблонский Г. П. Якушев М. В. Cu2ZnSnSe4 тонкая пленка фотолюминесценция дефект структуры ширина запрещенной зоны 2026 2026-09-10 Журнал прикладной спектроскопии    По данным исследования спектров фотолюминесценции (ФЛ) и возбуждения ФЛ тонких пленок соединения Cu2ZnSnSe4 со структурой кестерита определена оптическая ширина запрещенной зоны Eg ≈ 1.052 эВ при температуре 6 К. В диапазоне температур 6—300 К установлены механизмы излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда, определяющие появление широких полос ФЛ в области энергий 0.7—1.1 эВ. Для прямозонного соединения Cu2ZnSnSe4 p-типа проводимости обнаружен эффект перераспределения интенсивности между каналами излучательной рекомбинации в спектральной области 0.93—0.99 эВ, указывающий на наличие глубоких акцепторных и донорных уровней в запрещенной зоне. По данным тушения интенсивности широких полос ФЛ в области энергий 0.7—1.0 эВ определена термическая энергия активации каналов безызлучательной рекомбинации с участием дефектов структуры, обсуждается их природа. https://www.academjournals.by/publication/21140 https://www.academjournals.by/files/20990