TY  - JOUR
T1  - Влияние режимов термообработки на структуру и оптические свойства слоев кремния, гипердопированных селеном
JF  - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук
DO  - 10.29235/1561-8358-2026-71-1-67-78
AU  - Ковальчук Н. С., 
AU  - Мильчанин О. В., 
AU  - Комаров Ф. Ф., 
AU  - Пархоменко И. Н., 
AU  - Романов И. А., 
AU  - Гофэн Я. , 
AU  - Цзюньцзюнь С. , 
AU  - Харлович Ю. В., 
AU  - Роговая И. С., 
Y1  - 2026-03-31
UR  - https://www.academjournals.by/publication/20704
N2  - Ионной имплантацией Se (3,1 · 1015 см–2, 140 кэВ) с последующими тремя типами изотермической тер­ мообработки и с использованием импульсного лазерного отжига (ИЛО, 70 нс, 2 Дж/см2) получены гипердопированные селеном слои кремния на кремнии. Резерфордовское обратное рассеяние (РОР) ионов He+ в случайном и каналированном режимах и просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) использовались для анализа структурного состояния, распределения концентрации внедренной примеси и примеси в узлах кристаллической решетки Si по глубине до и после термообработок. Результаты, полученные методом РОР, свидетельствуют о том, что после ИЛО 72 % внедренной примеси находится в замещающем положении, часть ее уходит на поверхность. При изотермических отжигах ~ 50 % атомов Se попадает в узлы решетки Si, часть их уходит на сток на глубине, соответствующей исходному интерфейсу аморфный слой – кристалл до термообработки. Заметное увеличение оптического поглощения (~ 20 %) в ИК-диапазоне (1,1–2,5 мкм) зарегистрировано только при ИЛО имплантированного слоя, а для изотермических отжигов оно не превышало 1–2 %. Результаты исследований свидетельствуют о том, что большая часть атомов Se в узлах решетки кремниевой матрицы после равновесных термообработок находится в электрически неактивных состояниях. Такой эффект можно объяснить формированием большого количества нейтральных комплексов атомов селена, когда они встраиваются в соседние узлы кремниевой решетки и образуют ковалентные связи друг с другом. Сверхпересыщенные селеном слои кремния являются перспективным материалом для изготовления эффективных широкополосных фотоприемников и солнечных элементов со встроенной промежуточной подзоной в запрещенной зоне кремния.