17 Ковальчук Н. С. Комаров Ф. Ф. Пархоменко И. Н. Ян Гофэн Мильчанин О. В. кремний имплантация Se импульсный лазерный отжиг подзона поглощение 2026 2026-07-09 10.29235/1561-8323-2026-70-3-249-257 Доклады Национальной академии наук Беларуси Исследовано формирование примесной подзоны в кремнии, гипердопированном селеном, после импульсного лазерного отжига. Образцы Si имплантировались ионами Se+ в моно- и полиэнергетических режимах с концентрацией примеси 0,4–2,2 ат. %, после чего проводились режимы импульсного лазерного отжига при плотностях энергии 0,55–2,5 Дж/см2. Глубинные профили концентрации примеси, степень кристалличности слоев и доля атомов селена в положении замещения определялись методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с режимом каналирования. Методом сканирующей туннельной спектроскопии подтверждено формирование подзонных состояний. В спектрах поглощения отчетливо проявляется широкая полоса подзонного поглощения с максимумом в области ~0,45–0,55 эВ и шириной около ~0,5 эВ. Показано, что интенсивность подзонного поглощения увеличивается с ростом концентрации замещающего Se, однако эта зависимость носит нелинейный характер. Наилучшие структурные параметры слоев (максимальные значения степени кристалличности и доли атомов Se в узлах решетки) достигаются после импульсного лазерного отжига при 1,5–2,5 Дж/см2, при этом интенсивность подзонного поглощения изменяется немонотонно и не коррелирует строго со структурными характеристиками. Полученные результаты имеют практическую значимость для разработки оптоэлектронных устройств на основе гипердопированного кремния с управляемыми свойствами подзонного поглощения. https://www.academjournals.by/publication/20478 https://www.academjournals.by/files/20333