RT - article
SR - Electronic
T1 - Фотолюминесценция наноразмерных структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2025-11-26
A1 - Живулько В. Д., 
A1 - Мудрый А. В., 
A1 - Бородавченко О. М., 
A1 - Смагина Ж. В., 
A1 - Зиновьев В. А., 
A1 - Зиновьева А. Ф., 
A1 - Двуреченский А. В., 
YR - 2025
UL - https://www.academjournals.by/publication/20145
AB - Исследована фотолюминесценция (ФЛ) наноструктур Ge/Si с квантовыми точками (КТ) Ge при температурах 5, 78 и 300 К. Наноструктуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках монокристаллического кремния в условиях облучения ионами Ge+ с энергией 2 кэВ и без облучения. Обнаружен эффект увеличения интенсивности широкой полосы ФЛ в области энергий ~0.8 эВ при облучении наноструктур ионами Ge+. Проведен сравнительный анализ спектров ФЛ, зарегистрированных со стороны подложки кремния, а также со стороны формирования наноструктур Ge/Si. Установлено, что в процессе выращивания многослойных наноструктур Ge/Si с КТ Ge при температурах 500—600 °C образуются термические дефекты структуры в кремнии, обусловливающие появление электронно-колебательных полос с бесфононными линиями P ~ 0.767 эВ, C ~ 0.789 эВ и H ~ 0.926 эВ.