17 Живулько В. Д. Мудрый А. В. Бородавченко О. М. Смагина Ж. В. Зиновьев В. А. Зиновьева А. Ф. Двуреченский А. В. наноструктуры Ge/Si квантовые точки Ge дефекты структуры фотолюминесценция 2025 2025-11-26 Журнал прикладной спектроскопии Исследована фотолюминесценция (ФЛ) наноструктур Ge/Si с квантовыми точками (КТ) Ge при температурах 5, 78 и 300 К. Наноструктуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках монокристаллического кремния в условиях облучения ионами Ge+ с энергией 2 кэВ и без облучения. Обнаружен эффект увеличения интенсивности широкой полосы ФЛ в области энергий ~0.8 эВ при облучении наноструктур ионами Ge+. Проведен сравнительный анализ спектров ФЛ, зарегистрированных со стороны подложки кремния, а также со стороны формирования наноструктур Ge/Si. Установлено, что в процессе выращивания многослойных наноструктур Ge/Si с КТ Ge при температурах 500—600 °C образуются термические дефекты структуры в кремнии, обусловливающие появление электронно-колебательных полос с бесфононными линиями P ~ 0.767 эВ, C ~ 0.789 эВ и H ~ 0.926 эВ. https://www.academjournals.by/publication/20145 https://www.academjournals.by/files/20023