@article{Живулько В. Д.2025-11-26,
author = { Живулько В. Д.,  Мудрый А. В.,  Бородавченко О. М.,  Смагина Ж. В.,  Зиновьев В. А.,  Зиновьева А. Ф.,  Двуреченский А. В.},
title = {Фотолюминесценция наноразмерных структур Ge/Si с квантовыми точками Ge},
year = {2025},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Исследована фотолюминесценция (ФЛ) наноструктур Ge/Si с квантовыми точками (КТ) Ge при температурах 5, 78 и 300 К. Наноструктуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках монокристаллического кремния в условиях облучения ионами Ge+ с энергией 2 кэВ и без облучения. Обнаружен эффект увеличения интенсивности широкой полосы ФЛ в области энергий ~0.8 эВ при облучении наноструктур ионами Ge+. Проведен сравнительный анализ спектров ФЛ, зарегистрированных со стороны подложки кремния, а также со стороны формирования наноструктур Ge/Si. Установлено, что в процессе выращивания многослойных наноструктур Ge/Si с КТ Ge при температурах 500—600 °C образуются термические дефекты структуры в кремнии, обусловливающие появление электронно-колебательных полос с бесфононными линиями P ~ 0.767 эВ, C ~ 0.789 эВ и H ~ 0.926 эВ.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/20145},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/20023},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}