RT - article
SR - Electronic
T1 - Расчет методом теории функционала плотности электронных свойств и оптической анизотропии соединения LiV<sub>3</sub>O<sub>8</sub>
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2025-11-26
A1 - Kushwaha A. K., 
A1 - Al-Otaibi J. , 
A1 - Booq Z. I. Y., 
A1 - Barakat F. , 
A1 - Alshehri H. , 
A1 - Alsowygh G. , 
A1 - Laref A. , 
A1 - Nya F. T., 
A1 - Chowdhury S. , 
YR - 2025
UL - https://www.academjournals.by/publication/20121
AB - Электронные и оптические свойства соединения LiV3O8 исследованы с помощью моделирования из первых принципов в рамках теории функционала плотности (DFT). Для более точного описания его полупроводниковых свойств использована поправка Хаббарда U в сочетании с обобщенным градиентным приближением (GGA). Подход GGA+U обеспечивает эффективное описание электронной структуры, обусловленной сильной локализацией 3d-электронов в переходных металлах, таких как ванадий. Результаты исследования электронной структуры показывают, что LiV3O8 проявляет полупроводниковые свойства с шириной запрещенной зоны, расположенной в видимой области спектра. Изучены оптоэлектронные свойства LiV3O8, включая спектры оптического поглощения и отражения, выявлена оптическая анизотропия в области низких энергий до 12.5 эВ. Результаты исследования оптического поглощения также продемонстрировали, что максимальное поглощение света происходит в видимой области, что указывает на потенциальные возможности применения в солнечных батареях.