RT - article
SR - Electronic
T1 - Спин-циклотронный резонанс в электронном антимониде индия при низких температурах
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2025-09-07
A1 - Поклонский Н. А., 
A1 - Деревяго А. Н., 
A1 - Вырко С. А., 
A1 - Ковалев А. И., 
YR - 2025
UL - https://www.academjournals.by/publication/19763
AB - Предложена интерпретация известных экспериментальных данных по измерению магнитного резонанса в легированных теллуром кристаллах антимонида индия n-типа со степенью компенсации K ≈ 0.1 теллура (водородоподобные доноры) цинком (водородоподобные акцепторы) на частоте 10 МГц в квантующем внешнем магнитном поле с индукцией от 0.17 до 1.70 Тл при температуре жидкого гелия. Выявлено, что наблюдаемый резонанс обусловлен поглощением электронами c-зоны квантов энергии радиочастотного (10 МГц) излучения. Переход электрона между соседними уровнями Ландау обеспечивается электрической компонентой радиоволны, а между зеемановскими подуровнями — магнитной компонентой. Количество поглощенных радиочастотных квантов при резонансе увеличивается от 3.9 · 104 до 1.6 · 105 при увеличении концентрации электронов в c-зоне от 6 · 1015 до 5 · 1018 см–3 при приблизительно постоянной степени компенсации. Расчетным путем показано, что ширина линий магнитного резонанса (“от пика до пика” первой производной от сигнала поглощения радиоволн по внешнему магнитному полю) определяется флуктуациями потенциальной энергии электронов в кристаллах вследствие их легирования и компенсации.