RT - article
SR - Electronic
T1 - Моделирование баллистического квантово-барьерного полевого транзистора на основе металлической одностенной углеродной нанотрубки типа zigzag
JF - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
SP - 2025-07-11
DO - 10.29235/1561-2430-2025-61-2-139-148
A1 - Поздняков Д. В., 
A1 - Борздов А. В., 
A1 - Борздов В. М., 
YR - 2025
UL - https://www.academjournals.by/publication/19479
AB - Рассмотрена одна из возможных конструкций двухзатворного квантово-барьерного полевого транзистора на основе металлической одностенной углеродной нанотрубки типа zigzag. Рассчитаны вольт-амперные характеристики транзистора с оптимальной геометрией в рамках разработанной комбинированной физико-математической модели, описывающей перенос носителей заряда в его проводящем канале с учетом как квантово-размерных эффектов, так и фононного рассеяния частиц. Для нанотрубки определены оптимальные значения ее длины и диаметра, при которых для такого транзистора достигаются максимальные величины проводимости канала и обратной подпороговой крутизны его вольт-амперных характеристик.