@article{Поздняков Д. В.2025-07-11,
author = { Поздняков Д. В.,  Борздов А. В.,  Борздов В. М.},
title = {Моделирование баллистического квантово-барьерного полевого транзистора на основе металлической одностенной углеродной нанотрубки типа zigzag},
year = {2025},
doi = {10.29235/1561-2430-2025-61-2-139-148},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Рассмотрена одна из возможных конструкций двухзатворного квантово-барьерного полевого транзистора на основе металлической одностенной углеродной нанотрубки типа zigzag. Рассчитаны вольт-амперные характеристики транзистора с оптимальной геометрией в рамках разработанной комбинированной физико-математической модели, описывающей перенос носителей заряда в его проводящем канале с учетом как квантово-размерных эффектов, так и фононного рассеяния частиц. Для нанотрубки определены оптимальные значения ее длины и диаметра, при которых для такого транзистора достигаются максимальные величины проводимости канала и обратной подпороговой крутизны его вольт-амперных характеристик.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/19479},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/19405},
journal = {Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук},
}