Ток прозрачности и спектр усиления квантовых яма-точек InGaAs/GaAs

Корнышов Г. О.; Паюсов А. С.; Харченко А. А.; Бекман А. А.; Шерняков Ю. М.; Минтаиров С. А.; Калюжный Н. А.; Максимов М. В.; Гордеев Н. Ю.

Ток прозрачности и спектр усиления квантовых яма-точек InGaAs/GaAs

Корнышов Г. О., Паюсов А. С., Харченко А. А., Бекман А. А., Шерняков Ю. М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Максимов М. В., Гордеев Н. Ю.

2025

Получена экспериментальная зависимость тока прозрачности квантовых яма-точек InGaAs/GaAs от энергии фотонов, которая соответствует разности квазиуровней Ферми для электронов и дырок. Полученная зависимость и известное соотношение между спонтанным излучением и оптическим поглощением позволяют рассчитать спектры модального усиления из спектров спонтанного излучения. Рассчитаны спектры модального усиления квантовых яма-точек InGaAs/GaAs при различных токах накачки. Предложенным методом можно исследовать спектры усиления приборов, работающих в режиме суперлюминесценции, когда положение максимума усиления неизвестно

Корнышов Г. О., Паюсов А. С., Харченко А. А., Бекман А. А., Шерняков Ю. М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Максимов М. В., Гордеев Н. Ю. Ток прозрачности и спектр усиления квантовых яма-точек InGaAs/GaAs. Журнал прикладной спектроскопии. 2025;92(2):193-197.

Цитирование

Список литературы

1. В. П. Грибковский, В. А. Самойлюкович. Журн. прикл. спектр., 11 (1969) 170—172, doi: 10.1007/BF00612551

2. B. W. Hakki, T. L. Paoli. J. Appl. Phys., 46, N 3 (1975) 1299–1306, doi: 10.1063/1.321696

3. C. H. Henry, R. A. Logan, F. R. Merritt. J. Appl. Phys., 51, N 6 (1980) 3042—3050, doi: 10.1063/1.328091

4. P. Blood, A. I. Kucharska, J. P. Jacobs, K. Griffiths. J. Appl. Phys., 70, N 3 (1991) 1144—1156, doi: 10.1063/1.349622

5. L. V. Asryan, R. A. Suris. Semiconductors, 38, N 1 (2004) 1—22, doi: 10.1134/1.1641126

6. H. C. Casey, M. B. Panish. Heterostructure Lasers, Pt B: Materials and Operating Characteristics, London, Academic Press (1978)

7. A. S. Payusov, A. A. Beckman, G. O. Kornyshov, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, N. Yu. Gordeev. Semiconductors, 56, N 12 (2022) 919, doi: 10.21883/SC.2022.12.55152.4409

8. M. V. Maximov, A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, N. V. Kryzhanovskaya, E. I. Moiseev, N. Yu. Gordeev, Y. M. Shernyakov, A. S. Payusov, F. I. Zubov, V. N. Nevedomskiy, S. S. Rouvimov, A. E. Zhukov. Appl. Sci., 10, N 3 (2020) 1038, doi: 10.3390/app10031038

9. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, Z. I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 18, N 8 (2003) 774—781, doi: 10.1088/0268-1242/18/8/310

10. C.-C. Huang, C.-H. Cheng, Y.-S. Su, C.-F. Lin. IEEE Photon. Technol. Lett., 16, N 2 (2004) 371—373, doi: 10.1109/LPT.2003.821050

Источник

Информация

Автор

Корнышов Г. О. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Паюсов А. С. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Харченко А. А. Академический университет им. Ж. И. Алферова
Бекман А. А. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Шерняков Ю. М. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Минтаиров С. А. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Калюжный Н. А. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Максимов М. В. Академический университет им. Ж. И. Алферова
Гордеев Н. Ю. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе

Страницы

193-197

Год издания

2025

Ключевые слова

Коллекции

Журнал прикладной спектроскопии