17 Козодоев С. В. Мухаммад А. И. Колос В. В. Гайдук П. И. плазмонное поглощение спектр поглощения профилированные слои микроболометр 2025 2025-03-27 Журнал прикладной спектроскопии В спектрах поглощения оптического излучения структурами Si3N4/Me/Si3N4, рассчитанных методом конечных разностей во временной области, обнаружено влияние толщины структурных слоев на интенсивность и ширину полосы поглощения. Уменьшение суммарной толщины верхнего и нижнего слоев Si3N4 с 400 до 100 нм приводит к росту поглощения в среднем на 20 % и уширению полосы поглощения с интенсивностью >90 % с 0.8 до 1.6 мкм. Показано, что в спектре поглощения структуры Si3N4/Ti/Si3N4 с толщиной каждого слоя 50 нм ширина полосы поглощения с интенсивностью >90 % составляет 4.3 мкм. Уменьшение толщины профилированного слоя Ti от 130 до 50 нм приводит к незначительному снижению максимального значения поглощения с 99 до 96 %. Показано, что уширение полосы поглощения связано с влиянием толщины Si3N4 на интерференционные процессы в структурах Si3N4/Ti/Si3N4. Установлено, что зависимость интенсивности поглощения от типа металла в диапазоне 8.3—13 мкм может быть обусловлена зависимостью концентрации свободных электронов от типа металла. https://www.academjournals.by/publication/19273 https://www.academjournals.by/files/19217