Горбачук Н. И., Ермакова Е. А., Поклонский Н. А., Шпаковский С. В. Емкостная спектроскопия электронных состояний на границе раздела SiO₂/n-Si в облученных ионами гелия МОП-структурах. Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук. 2025;61(1):34-46. https://doi.org/10.29235/1561-2430-2025-61-1-34-46