Ссылка для цитирования по ГОСТ
Горбачук Н. И., Ермакова Е. А., Поклонский Н. А., Шпаковский С. В. Емкостная спектроскопия электронных состояний на границе раздела SiO2/n-Si в облученных ионами гелия МОП-структурах // Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук. 2025 Т.61, №1. С.34-46. doi:10.29235/1561-2430-2025-61-1-34-46