<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Козлова О. А.</author>
     <author>Нелаев В. В.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>AB INITIO МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ДВУХМЕРНОГО МОЛИБДЕНИТА</title>
   </titles>
   <dates>
    <year>2013</year>
    <pub-dates>
     <date>2016-10-01</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Информатика</journal>
   <abstract>Посредством ab initio, из первых принципов, моделирования исследуются электронные свой-ства трехмерной и двухмерной структур молибденита, MoS2, сформированных вдоль &amp;lt;001&amp;gt;, &amp;lt;010&amp;gt; и &amp;lt;100&amp;gt; кристаллографических направлений. Проводятся расчеты электронной плотности и зонной структуры. Показывается, что зонные структуры 2D-&amp;lt;010&amp;gt; и -&amp;lt;100&amp;gt; MoS2 идентичны. Зонная структура 2D-&amp;lt;001&amp;gt; MoS2 отличается наличием прямозонного перехода и отсутствием дополни-тельных энергетических уровней. Обнаруженные особенности подтверждают возможность нали-чия в MoS2, как и у графена, исключительных электронных и магнитных свойств.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/18621</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/18574</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
