<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Ковальчук Н. Г.</author>
     <author>Нигериш К. А.</author>
     <author>Михалик М. М.</author>
     <author>Каргин Н. И.</author>
     <author>Комиссаров И. В.</author>
     <author>Прищепа С. Л.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>О ВОЗМОЖНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТЕПЕНИ ЛЕГИРОВАНИЯ ГРАФЕНА ПО СПЕКТРАМ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>легирование графена</keyword>
    <keyword>спектр комбинационного рассеяния света</keyword>
    <keyword>химическое парофазное осаждение</keyword>
    <keyword>graphene doping</keyword>
    <keyword>Raman spectrum</keyword>
    <keyword>chemical vapor deposition</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2017</year>
    <pub-dates>
     <date>2025-03-12</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована структура графена, синтезированного из метана методом химического парофазного осаждения при атмосферном давлении и перенесенного на подложку SiO2/Si c использованием различных способов переноса и удаления полимера. Установлено, что для исследуемых образцов зависимости положения пика 2D от положения пика G хорошо описываются линейными функциями с тангенсом угла наклона ~2.2, что свидетельствует о существовании двухосного напряжения в графене. Обнаружено изменение легирования в образцах. </abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/16499</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/16453</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
