TY  - JOUR
T1  - ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ВЫРАЩЕННЫХ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ ГЕРМАНИЯ
JF  - Журнал прикладной спектроскопии
AU  - Марончук И. И., 
AU  - Саникович Д. Д., 
AU  - Вельченко А. А., 
Y1  - 2025-03-12
UR  - https://www.academjournals.by/publication/16482
N2  - Методом жидкофазной эпитаксии с импульсным охлаждением подложки по двум структурным схемам выращены образцы наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками Ge в матрице GaP на Si-подложках. Измерены спектры фотолюминесценции образцов при температурах 77 и 300 К при возбуждении лазерным излучением с λ = 4880 и 5145 Å. Сделаны выводы о факторах, влияющих на спектр и интенсивность излучения наноструктур с квантовыми точками. Выявлено, что для уменьшения безызлучательной рекомбинации в многослойных p-n-структурах необходимо создавать массивы квантовых точек в объеме p- и n-областей, а не в центральной части обедненного слоя p-n-перехода. Показано, что теоретические энергии для квантовых точек Ge рассчитанных размеров сопоставимы с энергией их максимумов фотолюминесценции.