17 Марончук И. И. Саникович Д. Д. Вельченко А. А. жидкофазная эпитаксия импульсное охлаждение наногетероэпитаксиальные структуры квантовые точки спектр фотолюминесценции liquid phase epitaxy pulsed cooling nanoheteroepitaxial structures quantum dots photoluminescence spectra 2017 2025-03-12 Журнал прикладной спектроскопии Методом жидкофазной эпитаксии с импульсным охлаждением подложки по двум структурным схемам выращены образцы наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками Ge в матрице GaP на Si-подложках. Измерены спектры фотолюминесценции образцов при температурах 77 и 300 К при возбуждении лазерным излучением с λ = 4880 и 5145 Å. Сделаны выводы о факторах, влияющих на спектр и интенсивность излучения наноструктур с квантовыми точками. Выявлено, что для уменьшения безызлучательной рекомбинации в многослойных p-n-структурах необходимо создавать массивы квантовых точек в объеме p- и n-областей, а не в центральной части обедненного слоя p-n-перехода. Показано, что теоретические энергии для квантовых точек Ge рассчитанных размеров сопоставимы с энергией их максимумов фотолюминесценции. https://www.academjournals.by/publication/16482 https://www.academjournals.by/files/16436